2008年4月9日下午，应先进材料与纳米技术系的邀请，中科院半导体所研究员赵建华来工学院做题目为“稀磁半导体研究进展”的学术报告。

      报告首先介绍了稀磁半导体的研究背景，然后以III-V族稀磁半导体 (Ga,Mn)As为例，介绍国内外在稀磁半导体的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等方面开展的主要工作，同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、II-VI族和IV-VI族稀磁半导体的主要研究进展，最后介绍了目前存在的问题以及对未来的展望。
 
      赵建华研究员从2002年12月至今一直在中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室工作，现任国家“十一五”重大科学研究计划项目“半导体量子结构中的自旋量子调控”课题负责人，中科院知识创新工程三期重要方向项目“半导体自旋量子结构中的器件物理效应”项目首席科学家，国家自然科学基金重点项目“磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究”负责人。目前主要从事半导体自旋电子学研究工作，具体进行III-V族稀磁半导体、闪锌矿结构半金属、铁磁金属及其异质结构的分子束外延生长和自旋相关物理性质研究；半导体磁性量子结构自旋调控；半导体自旋电子器件设计及其物理原理研究。

      工学院部分师生到场听讲，报告结束后，赵建华研究员还就现场学生提出的问题进行了细致、深入的解答。